lnfineon IGBT模块

ff200r12ks4
技术参数：
• ic(a),tc=80℃ 200
•vce(sat),max(v) 3.7
•ton(us) 0.11
•toff(us) 0.55
•rth(j-c),k/w 0.09
•pc(w) 1400
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
ff200r12ks4是英飞凌econodual™系列igbt模块，具有沟槽结构，并通过在传统的npt-igbt的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 pt 和 npt 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 igbt3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，ff200r12ks4 igbt模块具有低emi噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100kw光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
性能概要：
•高短路能力
•自我限制短路电流
•低开关损耗
•耐用性
•v cesat具有正温度系数
•cti>400
优点：
• 灵活性
• 电气性能佳
• 可靠性高
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源（ups）
• 商业，农业和工程车辆（cav）
• 感应加热
• 工业焊接