技术参数：
• ic(a),tc=80℃ 50
•vce(sat),max(v) 2.15
•ton(us) 0.15
•toff(us) 0.4
•rth(j-c),k/w 0.53
•pc(w) 285
• 封装 34mm
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 扩展工作温度tvj op
• 低开关损耗
• 低v（cesat）
• t（vj op）=150℃
• v（cesat）具有正温度系数
• 隔离底板
• 标准外形
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