长鑫存储近日连续实现LPDDR6和HBM3E上的重大突破！

　　国产存储芯片制造商长鑫存储一周内连续取得LPDDR6与HBM3E两项重大突破！

　　长鑫宣布LPDDR6内存正式量产，领先三星、SK海力士成为全球首家量产该产品的厂商，首发搭载于小米18 Fold折叠屏手机。

　　在AI领域，长鑫已启动HBM3E内存的风险量产。HBM3E是目前AI加速卡的核心存储，NVIDIA H200和B300系列均依赖这一规格。按照JEDEC标准规范，HBM3E采用1024位接口，主流配置瞄准9.6Gbps，总带宽可达1.2TB/s。容量方面，8层堆叠提供24GB，12层堆叠可达36GB。

　　HBM的制造工艺极其复杂，目前全球仅有SK海力士、三星和美光三家实现规模出货。长鑫若能从风险量产快速过渡到大规模制造，将成为全球第四家具备HBM量产能力的厂商。虽然风险量产阶段良率较低，但长鑫DDR5产品此前就曾在极短时间内从试产转为大规模出货。

　　不过长鑫的HBM3E距离韩国双雄仍有约两代差距，SK海力士目前是HBM3E的最大供应商，同时已经在准备向HBM4E过渡。但对中国半导体供应链而言，从无到有比追平差距更重要。如寒武纪此前推出的思元590和690等AI芯片，一直面临HBM供应受限的困境，国产HBM3E量产后，这一短板有望补齐。