长鑫LPDDR6内存项目重大突破！已进入风险试产阶段

　　长鑫存储LPDDR6内存项目已进入风险试产阶段，技术进度基本追平三星、SK海力士等国际巨头。目前正分发样品验证，若测试达预期，有望在年内数周内实现大规模量产。

　　此次试产意味着国产内存在低功耗、高带宽领域跻身世界前列。首批芯片速率达12.8Gbps，较上一代常规状态提升约20%；采用16Gb单颗容量与PoP堆叠封装，有效优化移动端内部空间。

　　伴随端侧大模型普及，12.8Gbps高带宽能有效缓解本地AI推理瓶颈，对国内供应链安全意义重大。相较于巨头研发的14.4Gbps更高规格，长鑫的版本更贴合当前量产需求，是务实的发展路线。